Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР. Родители назвали его в честь Жана Жореса, вождя французских социалистов. В 1952 году он окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В.И. Ульянова (ныне — Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова (Ленина). Основными направлениями научной деятельности Алферов выбрал физику и технологию полупроводников, полупроводниковую и квантовую электронику. Темой для кандидатской диссертации молодого ученого в 1961 году стали транзисторы. Впоследствии Алферов переключился на изучение гетероструктур (искусственных кристаллов) и движения в них света и других видов излучения.

В 2000 году Алферов стал лауреатом Нобелевской премии за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники. Всего ученый является автором более 500 научных работ и почти сотни изобретений. Кроме того, Алферов был депутатом всех созывов Госдумы с 1995 года. Жорес Иванович скончался год назад от сердечно-легочной недостаточности, не дожив до своего 89-летия всего две недели. Он был единственным из проживающих в настоящее время в России лауреатов Нобелевской премии по физике.